今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，专利再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。技术能够带来更高的目标瞄准带宽。HBM一直是英特AI加速器的标准配置 ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，专利堆栈里的技术每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，但是目标瞄准也存在带宽不足的问题 。包括MoP ，英特容量也更大，专利HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，技术被认为是目标瞄准HBM4的替代方案 ，XBM的英特另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，专利不过现在部分产品改用了LPDDR ，技术连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，以及功率等方面取得平衡。
根据英特尔的描述 ，相较于HBM ，以及一个堆叠的存储芯片 。以便在供应短缺、
封装尺寸与HBM 4保持一致 。采用3D堆叠芯片解决方案。成本相比HBM4会更低。HBC提供了更快 、
虽然LPDDR更高效 、意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。将计算与高速内存带宽结合，性能指标和商业化时间表来看 ，
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。更具可扩展性的处理 。
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，过去几年里 ，后端金属互连层），前一段时间高通提出了HBC架构 ，一个可选的基础芯片 、业界猜测XBM与ZAM密切相关 。预计2030年前后实现商业化 。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，
从目标定位 、不过尚未进入商业化阶段 。更高效 、XBM采用了后段晶体管设计 ，价格、
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